Description
Si vous êtes passionné d’informatique et d’électronique, aimez être à la pointe de la technologie et ne manquez aucun détail , achetez Mémoire RAM GoodRam GR2666D464L19/16G 16 Go DDR4 CL19 au meilleur prix.
- Mémoire interne :
- 16 Go
- DDR4
- Capacité : 16 Go
- Tension : 1,2 V
- Connexion : UDIMM 288 broches
- Type : DDR4
- Vitesse : 2 666 MHz
- Connecteur :
- DIMM
- DIMM 288 broches
- Latence : CL19
- Mémoire RAM : 16 Go
Prêt à jouerLa mémoire GOODRAM DDR4 dispose de 4 Go, 8 Go ou 16 Go de mémoire dans un module et est disponible en configurations simple et double canal (8, 16, 32 Go). La fréquence d’horloge de 3200 MHz fait de GOODRAM un excellent choix, quel que soit le type de tâche à effectuer.La plus haute qualité = garantie à vieTous les modules de mémoire GOODRAM sont fabriqués en Pologne (Europe) avec des composants hautement sélectionnés et subissent des tests de qualité en plusieurs étapes avant de partir en voyage dans les magasins de détail. Le service de contrôle qualité s’assure que chaque module est parfaitement préparé pour de nombreuses années d’utilisation, c’est pourquoi nous garantissons à nos utilisateurs une garantie à vie.Efficacité énergétique et amp ; fonctionnement stablePar rapport aux solutions plus anciennes, les modules DDR4 ont une tension d’alimentation de 1,2 V, ce qui permet de réduire les coûts d’exploitation et d’augmenter les économies d’énergie jusqu’à 40 %. La conception de PCB différente de la DDR4 par rapport aux générations plus anciennes augmente considérablement la résistance aux dommages mécaniques ainsi qu’aux pointes de tension dans l’appareil. En conséquence, les modules DDR4 se caractérisent par leur fiabilité et leur stabilité même dans les conditions de fonctionnement les moins favorables.
- Mémoire interne : 16 Go
- Disposition de la mémoire (modules x taille) : 1 x 16 Go
- Type de mémoire interne : DDR4
- Vitesse d’horloge de la mémoire : 2 666 MHz
- Composant pour : PC/serveur
- Facteur de forme de la mémoire : DIMM à 288 broches
- Type de mémoire tampon : non enregistrée (sans tampon)
- ECC : N
- Latence CAS : 19
- Tension de la mémoire : 1,2 V
- Configuration des modules : 1024M x 8
- Type d’emballage : blister
